Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.96€ | 1.16€ |
5 - 9 | 0.91€ | 1.10€ |
10 - 24 | 0.86€ | 1.04€ |
25 - 49 | 0.81€ | 0.98€ |
50 - 99 | 0.79€ | 0.96€ |
100 - 162 | 0.72€ | 0.87€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.96€ | 1.16€ |
5 - 9 | 0.91€ | 1.10€ |
10 - 24 | 0.86€ | 1.04€ |
25 - 49 | 0.81€ | 0.98€ |
50 - 99 | 0.79€ | 0.96€ |
100 - 162 | 0.72€ | 0.87€ |
Transistor BS107. Transistor. C (in): 85pF. C (out): 20pF. Type de canal: N. Diode Tff(25°C): 8 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 2A. Id (T=25°C): 120mA. Idss (maxi): 30nA. Marquage sur le boîtier: BS107. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Résistance passante Rds On: 15 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 16 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 20:25.
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