Circuit intégré mémoire GD25D10BTIGR

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Circuit intégré mémoire GD25D10BTIGR. Circuit intégré mémoire. Fonction: Mémoire. Nombre de connexions: 8. Type de mémoire: NOR Flash. Mémoire de stockage de programme: 1Mbit. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Série: Mémoire 'FLASH'. Alimentation électrique: 2.7...3.6V. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOP8. Fréquence de fonctionnement: 80MHz. Température de fonctionnement: -40...85°C. Entrées/sorties: Dual I/O, SPI. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 23:25.

Documentation technique