Transistor FDD770N15A

Transistor FDD770N15A. Transistor. C (in): 575pF. C (out): 64pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 56.4 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. Id (T=100°C): 11.4A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 1uA. Remarque: High performance trench technology. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 56.8W. Résistance passante Rds On: 61m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15.8 ns. Td(on): 10.3 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 150V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Fonction: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. Spec info: résistance RDS(on) extrêmement faible. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 12:25.