Transistor FDS8884

Transistor FDS8884. Transistor. C (in): 475pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 8.5A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Résistance passante Rds On: 19m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 42 ns. Td(on): 5 ns. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.2V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 19:25.