Transistor IRF3710S

Transistor IRF3710S. Transistor. C (in): 3000pF. C (out): 640pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 210 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 180A. Id (T=100°C): 40A. Id (T=25°C): 57A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.025 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 58 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.