Transistor IRF7807Z

Transistor IRF7807Z. Transistor. C (in): 770pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 31us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuit intégré pour convertisseurs DC-DC. Id(imp): 88A. Id (T=100°C): 8.7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 150uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 10 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.