Transistor IRFP250N

Transistor IRFP250N. Transistor. C (in): 2159pF. C (out): 315pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 186 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 60.4k Ohms. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 214W. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.