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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V - MD1802FX. Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Diode BE: non. C (out): 1pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor haute tension pour CRT à définition standard. Gain hFE maxi: 8.5. Gain hFE mini: 5.5. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 57W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 08/06/2025, 13:25.

Documentation technique

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Transistor NPN, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Courant de collecteur: 14A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Diode BE: non. C (out): 1.6pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 64kHz. Fonction: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Date de production: 2014/17. Gain hFE maxi: 8.5. Gain hFE mini: 6. Ic(puls): 21A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 62W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V
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