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Transistor MJE13007

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Transistor MJE13007. Transistor. C (out): 80pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 14 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance bipolaire. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 9V. Spec info: Commutation à haute vitesse. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 22:25.

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