Transistor canal N, 0.015 Ohms, TO-220, TO-220, 60V, 60V, TO220 - STP55NF06

Transistor canal N, 0.015 Ohms, TO-220, TO-220, 60V, 60V, TO220 - STP55NF06. Transistor canal N, 0.015 Ohms, TO-220, TO-220, 60V, 60V, TO220. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. Vdss (tension drain à source): 60V. Boîtier: TO220. Dissipation de puissance maxi: 110W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 36ns. Td(on): 20 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Série: 1300pF. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 50A. Tension d'entraînement: 10V. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 ns. Vgs(th) (Max) @ Id: MOSFET. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): commutation rapide. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Température de fonctionnement: 35A. Type de montage: THT. Particularités: 1uA. Information: P55NF06. MSL: 3. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 24/07/2025, 04:25.