Transistor canal N 2N7002, SOT-23 ( TO-236 ), 60V, 60V, 0.075A, 0.115A, 500uA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 60V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Vdss (tension drain à source): 60V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Id (T=100°C): 0.075A. Id (T=25°C): 0.115A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 7.5 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 50pF. C (out): 25pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.280A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 7 Ohms @ 0.05A. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: Transistor MOSFET à petits signaux. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 0.28A. Id(imp): 0.8A. Idss (min): 1uA. Information: -. MSL: 1. Marquage du fabricant: 72. Marquage sur le boîtier: 702. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Qg (charge totale de la porte, Max @ Vgs): -. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohms / 500mA / 10V. Spec info: 702. Série: -. Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: V-MOS. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Tension grille/source Vgs (Max): -30V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de montage: SMD. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31