Transistor canal N BSS138-7-F, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Transistor canal N BSS138-7-F, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Quantité
Prix unitaire
10-49
0.0586€
50-99
0.0512€
100-199
0.0463€
200+
0.0396€
Quantité en stock: 2392
Minimum: 10

Transistor canal N BSS138-7-F, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Id (T=25°C): 0.2A. Résistance passante Rds On: 1.4 Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 50V. C (in): 50pF. C (out): 25pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Id(imp): 1A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: SS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Poids: 0.008g. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS SS. RoHS: oui. Spec info: Mode d'amélioration du niveau logique. Td(off): 20 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 3000. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.5V. Produit d'origine constructeur: Diodes Inc. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 13:31

BSS138-7-F
33 paramètres
Id (T=25°C)
0.2A
Résistance passante Rds On
1.4 Ohms
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO236 )
Tension Vds(max)
50V
C (in)
50pF
C (out)
25pF
Conditionnement
rouleau
Dissipation de puissance maxi
0.3W
Id(imp)
1A
Idss (min)
0.5uA
Marquage sur le boîtier
SS
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Poids
0.008g
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Remarque
sérigraphie/code CMS SS
RoHS
oui
Spec info
Mode d'amélioration du niveau logique
Td(off)
20 ns
Td(on)
20 ns
Technologie
Transistor à effet de champ
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
3000
Vgs(th) max.
1.5V
Vgs(th) min.
0.5V
Produit d'origine constructeur
Diodes Inc
Quantité minimum
10