Transistor canal N FDN335N, SuperSOT-3. Boîtier: SuperSOT-3. : 'enhanced'. Charge: 5nC. Courant de drain: 1.7A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 0.5W. RoHS: oui. Technologie: PowerTrench®. Tension drain - source: 20V. Tension grille-source: ±8V. Type de transistor: N-MOSFET. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 03:09