Transistor canal N IRFB3607PBF, TO220AB
Quantité
Prix unitaire
1-4
2.15€
5-9
1.34€
10-19
1.19€
20-49
1.11€
50+
1.04€
| Quantité en stock: 5 |
Transistor canal N IRFB3607PBF, TO220AB. Boîtier: TO220AB. : 'enhanced'. Charge: 56nC. Courant de drain: 80A. Montage/installation: THT. Polarité: unipolaire. Puissance: 140W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 75V. Tension grille-source: ±20V. Type de conditionnement: tubus. Type de transistor: N-MOSFET. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 09/11/2025, 09:02
IRFB3607PBF
13 paramètres
Boîtier
TO220AB
'enhanced'
Charge
56nC
Courant de drain
80A
Montage/installation
THT
Polarité
unipolaire
Puissance
140W
Technologie
HEXFET®
Tension drain - source
75V
Tension grille-source
±20V
Type de conditionnement
tubus
Type de transistor
N-MOSFET
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies