Transistor canal N IRFIBF30GPBF, ITO-220AB, 900V
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Transistor canal N IRFIBF30GPBF, ITO-220AB, 900V. Boîtier: ITO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 35W. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFIBF30GPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 16:45
IRFIBF30GPBF
16 paramètres
Boîtier
ITO-220AB
Tension drain-source Uds [V]
900V
Capacité de grille Ciss [pF]
1200pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
1.9A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
3.7 Ohms @ 1.1A
Dissipation maximale Ptot [W]
35W
Délai de coupure tf[nsec.]
90 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
IRFIBF30GPBF
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
14 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4 v
Produit d'origine constructeur
International Rectifier