Transistor canal N IRFL4105PBF, SOT-223 ( TO-226 ), 55V, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223, 55V. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5.2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.045 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 55V. C (in): 660pF. C (out): 230pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 660pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.045 Ohms @ 3.7A. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 30A. Idss (min): 25uA. Marquage du fabricant: FL4105. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 4. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 19 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.1 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 02:51