Transistor canal N IRFP044N, TO-247, 55V, 37A, 53A, 25uA, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247AC, 55V

Transistor canal N IRFP044N, TO-247, 55V, 37A, 53A, 25uA, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247AC, 55V

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5-24
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Transistor canal N IRFP044N, TO-247, 55V, 37A, 53A, 25uA, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247AC, 55V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Id (T=100°C): 37A. Id (T=25°C): 53A. Idss: 25uA. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1500pF. C (out): 450pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 1500pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 53A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ 29A. Dissipation de puissance maxi: 120W. Dissipation maximale Ptot [W]: 120W. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: PowerMOSFET. Id(imp): 180A. Marquage du fabricant: IRFP044N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 43 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Trr Diode (Min.): 72 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 02:51

Documentation technique (PDF)
IRFP044N
39 paramètres
Boîtier
TO-247
Tension drain-source Uds [V]
55V
Id (T=100°C)
37A
Id (T=25°C)
53A
Idss
25uA
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.02 Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247AC
Tension Vds(max)
55V
C (in)
1500pF
C (out)
450pF
Capacité de grille Ciss [pF]
1500pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
53A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.02 Ohms @ 29A
Dissipation de puissance maxi
120W
Dissipation maximale Ptot [W]
120W
Délai de coupure tf[nsec.]
43 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Fonction
PowerMOSFET
Id(imp)
180A
Marquage du fabricant
IRFP044N
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
3
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
43 ns
Td(on)
12 ns
Technologie
HEXFET
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
12 ns
Température maxi
+175°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4 v
Trr Diode (Min.)
72 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Produit d'origine constructeur
International Rectifier

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