Transistor canal N IRLML2502, SOT-23 ( TO-236 ), 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V

Transistor canal N IRLML2502, SOT-23 ( TO-236 ), 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V

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Transistor canal N IRLML2502, SOT-23 ( TO-236 ), 3.4A, 4.2A, 25uA, 0.035 Ohms, SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Id (T=100°C): 3.4A. Id (T=25°C): 4.2A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 740pF. C (out): 90pF. Conditionnement: rouleau. Courant de drain: 4.2A. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 33A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 1.25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 54 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 20V. Tension grille/source Vgs: 12V. Trr Diode (Min.): 16 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 3000. Vgs(th) min.: 0.6V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 12/11/2025, 19:38

Documentation technique (PDF)
IRLML2502
36 paramètres
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Id (T=100°C)
3.4A
Id (T=25°C)
4.2A
Idss (maxi)
25uA
Résistance passante Rds On
0.035 Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 )
Tension Vds(max)
20V
C (in)
740pF
C (out)
90pF
Conditionnement
rouleau
Courant de drain
4.2A
Dissipation de puissance maxi
1uA
Fonction
Ultra Low On-Resistance
Id(imp)
33A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Polarité
unipolaire
Propriétés des éléments semi-conducteurs
Niveau logique
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Puissance
1.25W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
54 ns
Td(on)
7.5 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension drain - source
20V
Tension grille/source Vgs
12V
Trr Diode (Min.)
16 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
3000
Vgs(th) min.
0.6V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier