Transistor canal N IRLR120N, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

Transistor canal N IRLR120N, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.07€
5-24
0.92€
25-49
0.81€
50-99
0.73€
100+
0.61€
Quantité en stock: 64

Transistor canal N IRLR120N, 7A, 10A, 250uA, 0.185 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.185 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 440pF. C (out): 97pF. Dissipation de puissance maxi: 48W. Equivalences: IRLR120NTRPBF. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 35A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Td(off): 23 ns. Td(on): 4 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 12/11/2025, 19:38

Documentation technique (PDF)
IRLR120N
32 paramètres
Id (T=100°C)
7A
Id (T=25°C)
10A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.185 Ohms
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Tension Vds(max)
100V
C (in)
440pF
C (out)
97pF
Dissipation de puissance maxi
48W
Equivalences
IRLR120NTRPBF
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
35A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
Commande de porte par niveau logique
Td(off)
23 ns
Td(on)
4 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
16V
Trr Diode (Min.)
110 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier