Transistor canal N IRLR2705PBF, TO252AA, DPAK. Boîtier: TO252AA, DPAK. Charge: 16.7nC. Courant de drain: 28A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 68W. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 2.7K/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Produit d'origine constructeur: Infineon (irf). Quantité en stock actualisée le 02/01/2026, 01:54