Transistor canal N IRLR2905Z, D-PAK ( TO-252 ), 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Transistor canal N IRLR2905Z, D-PAK ( TO-252 ), 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.79€
5-49
1.52€
50-99
1.34€
100-199
1.20€
200+
1.03€
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Transistor canal N IRLR2905Z, D-PAK ( TO-252 ), 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 11m Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 1570pF. C (out): 230pF. Charge: 23nC. Courant de drain: 60A. Dissipation de puissance maxi: 110W. Equivalences: IRLR2905ZTRPBF. Fonction: Commande de porte par niveau logique. Id(imp): 240A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 110W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Td(off): 24 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: ±16V. Tension grille/source Vgs: 16V. Trr Diode (Min.): 22ms. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 12/11/2025, 19:38

Documentation technique (PDF)
IRLR2905Z
39 paramètres
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Id (T=100°C)
43A
Id (T=25°C)
42A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
11m Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Tension Vds(max)
55V
C (in)
1570pF
C (out)
230pF
Charge
23nC
Courant de drain
60A
Dissipation de puissance maxi
110W
Equivalences
IRLR2905ZTRPBF
Fonction
Commande de porte par niveau logique
Id(imp)
240A
Idss (min)
20uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Polarité
unipolaire
Propriétés des éléments semi-conducteurs
Niveau logique
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Puissance
110W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
AUTOMOTIVE MOSFET
Td(off)
24 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension drain - source
55V
Tension grille-source
±16V
Tension grille/source Vgs
16V
Trr Diode (Min.)
22ms
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier

Produits équivalents et/ou accessoires pour IRLR2905Z