Transistor canal N IRLR3110ZTRPBF, DPAK. Boîtier: DPAK. Courant de drain: 63A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 140W. RoHS: oui. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 100V. Type de conditionnement: bobine. Type de transistor: N-MOSFET. Produit d'origine constructeur: Infineon (irf). Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 06:37