Transistor canal N MTY100N10E, TO-264, 100V. Boîtier: TO-264. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 10640pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 100A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 372 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: MTY100N10E. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 96 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 16:37