Transistor canal N NP82N055PUG, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V. Id (T=25°C): 82A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 4.1m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): MP-25ZP. Tension Vds(max): 55V. C (in): 6400pF. C (out): 465pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 142W. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 328A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 82N055. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Transistor MOSFET. Td(off): 72 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Transistor MOSFET. Température: +175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 900. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Renesas Technology. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 22:29