Transistor canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V - RJH30H2DPK-M0

Transistor canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V - RJH30H2DPK-M0. Transistor canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PSG. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (in): 1200pF. C (out): 80pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 23 ns. Compatibilité: Samsung PS42C450B1WXXU. Fonction: Commutation de puissance à haute vitesse. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 35A. Ic(puls): 250A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Spec info: trr 0.06us. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.06 ns. Td(on): 0.02 ns. Technologie: Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.9V. Tension grille - émetteur VGE: 30 v. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Produit d'origine constructeur Renesas Technology. Quantité en stock actualisée le 08/06/2025, 08:25.