Transistor canal N SPP04N60C3, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 85m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-3-1. Tension Vds(max): 650V. C (in): 490pF. C (out): 160pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 04N60C3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Capacité dv/dt exceptionnelle. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 05:54