Transistor canal N STP110N8F6, TO-220

Transistor canal N STP110N8F6, TO-220

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Transistor canal N STP110N8F6, TO-220. Boîtier: TO-220. Charge: 150nC. Courant de drain: 110A. Montage/installation: THT. Polarité: unipolaire. Puissance: 200W. RoHS: oui. Technologie: STripFET. Température de fonctionnement: -55...175°C. Tension drain - source: 80V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 04:39

STP110N8F6
13 paramètres
Boîtier
TO-220
Charge
150nC
Courant de drain
110A
Montage/installation
THT
Polarité
unipolaire
Puissance
200W
RoHS
oui
Technologie
STripFET
Température de fonctionnement
-55...175°C
Tension drain - source
80V
Tension grille-source
±20V
Type de transistor
N-MOSFET
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics