Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, MOSFET, 70V, 35A, 70V - VNP35N07

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, MOSFET, 70V, 35A, 70V - VNP35N07. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, MOSFET, 70V, 35A, 70V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): MOSFET. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Tension Vds(max): 70V. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNP35N07. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 200 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 1000 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 100 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C. Utilisation: Ilim= 35A IR= -50A. Tension d'entrée Vin (max): 18V. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 15:25.