Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -20V, -24A - NDP6020P

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -20V, -24A - NDP6020P. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -20V, -24A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: NDP6020P. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -0.7V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 250 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1590pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Produit d'origine constructeur Vbsemi. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 16:25.