Transistor canal P NDP6020P, TO-220AB, -20V
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Transistor canal P NDP6020P, TO-220AB, -20V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1590pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -24A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -24A. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Délai de coupure tf[nsec.]: 250 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: NDP6020P. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -0.7V. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 13/12/2025, 23:02
NDP6020P
16 paramètres
Boîtier
TO-220AB
Tension drain-source Uds [V]
-20V
Capacité de grille Ciss [pF]
1590pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
-24A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.05 Ohms @ -24A
Dissipation maximale Ptot [W]
60W
Délai de coupure tf[nsec.]
250 ns
Famille de composants
MOSFET, P-MOS
Marquage du fabricant
NDP6020P
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
30 ns
Température maxi
+175°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
-0.7V
Produit d'origine constructeur
Onsemi