Transistor canal P, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V - NDS0610

Transistor canal P, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V - NDS0610. Transistor canal P, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Id (T=25°C): 0.12A. Idss (maxi): 200uA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension Vds(max): 60V. C (in): 79pF. C (out): 10pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 17 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutateur de signal faible à canal P contrôlé en tension, conception de cellule haute densité pour un faible RDS (ON). Protection G-S: non. Id(imp): 1A. Idss (min): 1uA. Remarque: sérigraphie/code CMS 610. Marquage sur le boîtier: 610. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.36W. Résistance passante Rds On: 1.3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 10 ns. Td(on): 2.5 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 15:25.