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Transistor IGBT HGTG20N60A4D

Transistor IGBT HGTG20N60A4D
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Transistor IGBT HGTG20N60A4D. Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 20N60A4D. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 70A. Courant de collecteur maxi (A): 280A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 73 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 7V. Dissipation maximale Ptot [W]: 290W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Onsemi. Quantité en stock actualisée le 05/06/2025, 19:25.

Documentation technique

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