Transistor IGBT IGW60T120

Transistor IGBT IGW60T120. Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G60T120. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 60A. Courant de collecteur maxi (A): 150A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 50 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 480 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6.5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 375W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 05/06/2025, 19:25.