Transistor IGBT IHW30N120R5XKSA1

Transistor IGBT IHW30N120R5XKSA1. Transistor IGBT. C (in): 1800pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Marquage sur le boîtier: H30MR5. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 330 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO247-3. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.55V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.85V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Fonction: cuisson par induction, fours à micro-ondes. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 19/04/2025, 14:25.