Transistor IGBT IKW25N120H3FKSA1

Quantité	HT	TTC
1 - 1	9.09€	11.00€
2 - 2	8.63€	10.44€
3 - 4	8.45€	10.22€
5 - 7	8.18€	9.90€

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Transistor IGBT IKW25N120H3FKSA1. Transistor IGBT. Type de transistor: transistor IGBT. Tension drain - source: 1200V. Courant de collecteur: 50A. Puissance: 326W. Boîtier: TO-247AC. Diode intégrée: oui. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 19/07/2025, 10:25.

Documentation technique

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