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Transistor IGBT IKW50N120CS7XKSA1

Transistor IGBT IKW50N120CS7XKSA1
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Transistor IGBT IKW50N120CS7XKSA1. Transistor IGBT. Type de transistor: transistor IGBT. Tension collecteur – émetteur: 1200V. Courant de collecteur: 82A. Puissance: 428W. Boîtier: TO-247AC. Diode intégrée: oui. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.

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