Transistor IGBT IXGH39N60BD1

Transistor IGBT IXGH39N60BD1. Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AD. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 39N60BD1. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 76A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 25 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 500 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Courant de collecteur maxi (A): 152A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 19/04/2025, 19:25.