Transistor NPN 2N3904, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92, 40V

Transistor NPN 2N3904, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92, 40V

Quantité
Prix unitaire
10-49
0.0433€
50-99
0.0373€
100-199
0.0333€
200+
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Transistor NPN 2N3904, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92, 40V. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Bande passante MHz: 270MHz. Boîtier (norme JEDEC): -. C (in): 8pF. C (out): 4pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 200mA. Courant maximum 1: 0.2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 250 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: Transistor de commutation. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Fréquence: 300MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE min.: 30. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 200mA. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: 2N3904. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Série: 2N. Technologie: 'Epitaxial Planar Die Construction'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension base / collecteur VCBO: 60V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tf(max): 75 ns. Transistor Darlington?: non. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: Standard. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Diotec Semiconductor. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 01:37

Documentation technique (PDF)
2N3904
53 paramètres
Boîtier
TO-92
Tension collecteur-émetteur VCEO
40V
Courant de collecteur Ic [A], max.
200mA
Courant de collecteur
100mA
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92
Tension collecteur/émetteur Vceo
40V
Bande passante MHz
270MHz
C (in)
8pF
C (out)
4pF
Conditionnement
Ammo Pack
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de collecteur Ic [A]
200mA
Courant maximum 1
0.2A
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.5W
Dissipation maximale Ptot [W]
0.625W
FT
250 MHz
Famille de composants
transistor NPN
Fonction
Transistor de commutation
Fréquence de coupure ft [MHz]
300 MHz
Fréquence
300MHz
Gain hFE maxi
300
Gain hFE min.
30
Gain hFE mini
100
Ic(puls)
200mA
Marquage du fabricant
2N3904
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
3
Nombre de connexions
3
Polarité
bipolaire
Puissance
0.625W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc)
Série
2N
Technologie
'Epitaxial Planar Die Construction'
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Température maxi
+150°C.
Tension (collecteur - émetteur)
40V
Tension base / collecteur VCBO
60V
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
40V
Tension de saturation VCE(sat)
0.25V
Tf(max)
75 ns
Transistor Darlington?
non
Type de montage
montage traversant pour circuit imprimé
Type de transistor
NPN
Type
Standard
Vcbo
60V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Diotec Semiconductor
Quantité minimum
10