Transistor NPN BC546C, 100mA, TO-92, TO-92, 65V

Transistor NPN BC546C, 100mA, TO-92, TO-92, 65V

Quantité
Prix unitaire
10-99
0.0509€
100-199
0.0446€
200-499
0.0394€
500+
0.0330€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 237
Minimum: 10

Transistor NPN BC546C, 100mA, TO-92, TO-92, 65V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. C (out): 6pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): 200mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 6V. Produit d'origine constructeur: Lge Technology. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 20:34

Documentation technique (PDF)
BC546C
25 paramètres
Courant de collecteur
100mA
Boîtier
TO-92
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92
Tension collecteur/émetteur Vceo
65V
C (out)
6pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.625W
FT
150 MHz
Gain hFE maxi
800
Gain hFE mini
420
Ic(puls)
200mA
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Technologie
'Planar Epitaxial transistor'
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.25V
Type de transistor
NPN
Vcbo
80V
Vebo
6V
Produit d'origine constructeur
Lge Technology
Quantité minimum
10

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