Transistor NPN BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V

Transistor NPN BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V

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Transistor NPN BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Courant de collecteur: 25mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Dissipation de puissance maxi: 200mW. FT: 450 MHz. Fonction: 'IF and VHF thick and thin-film circuit'. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 25mA. Marquage sur le boîtier: G1*. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS G1p, G1t, G1W. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Vebo: 4 v. Produit d'origine constructeur: Diodes Inc. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 13:31

Documentation technique (PDF)
BFS20
23 paramètres
Courant de collecteur
25mA
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO236 )
Tension collecteur/émetteur Vceo
20V
Dissipation de puissance maxi
200mW
FT
450 MHz
Fonction
'IF and VHF thick and thin-film circuit'
Gain hFE maxi
140
Gain hFE mini
40
Ic(puls)
25mA
Marquage sur le boîtier
G1*
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
Remarque
sérigraphie/code CMS G1p, G1t, G1W
RoHS
oui
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Type de transistor
NPN
Vcbo
30 v
Vebo
4 v
Produit d'origine constructeur
Diodes Inc
Quantité minimum
10