Transistor NPN BUX85, TO-220, 2A, 2A, TO-220, 450V

Transistor NPN BUX85, TO-220, 2A, 2A, TO-220, 450V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.06€
5-24
0.89€
25-49
0.78€
50-99
0.70€
100+
0.59€
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Transistor NPN BUX85, TO-220, 2A, 2A, TO-220, 450V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. FT: 4 MHz. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fonction: S-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 3A. Marquage du fabricant: BUX85G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 40W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 1kV. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 18:16

Documentation technique (PDF)
BUX85
36 paramètres
Boîtier
TO-220
Courant de collecteur Ic [A], max.
2A
Courant de collecteur
2A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension collecteur/émetteur Vceo
450V
Boîtier (norme JEDEC)
TO-220
Conditionnement
tubus
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de collecteur Ic [A]
2A
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
50W
Dissipation maximale Ptot [W]
50W
FT
4 MHz
Famille de composants
transistor NPN haute tension
Fonction
S-L
Fréquence de coupure ft [MHz]
4 MHz
Gain hFE maxi
50
Gain hFE mini
30
Ic(puls)
3A
Marquage du fabricant
BUX85G
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
3
Polarité
bipolaire
Puissance
40W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Température maxi
+150°C.
Tension (collecteur - émetteur)
1kV
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
450V
Tension de saturation VCE(sat)
0.8V
Tension de saturation maxi VCE(sat)
1V
Type de transistor
NPN
Vcbo
1000V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor

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