Transistor NPN D44H11, 10A, TO-220, TO-220, 80V

Transistor NPN D44H11, 10A, TO-220, TO-220, 80V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.84€
5-24
1.59€
25-49
1.44€
50-99
1.31€
100+
1.12€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 90

Transistor NPN D44H11, 10A, TO-220, TO-220, 80V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. C (out): 130pF. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 50W. Equivalences: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. FT: 50 MHz. Fonction: -. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: D44H11. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) D45H11. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tf(max): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:16

Documentation technique (PDF)
D44H11
29 paramètres
Courant de collecteur
10A
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension collecteur/émetteur Vceo
80V
C (out)
130pF
Diode BE
non
Diode CE
oui
Dissipation de puissance maxi
50W
Equivalences
Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU
FT
50 MHz
Gain hFE mini
60
Ic(puls)
20A
Marquage sur le boîtier
D44H11
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) D45H11
Technologie
'Epitaxial Silicon Transistor'
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
1V
Tf(max)
140 ns
Tf(min)
140 ns
Type de transistor
NPN
Vcbo
80V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics

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