Transistor NPN ESM3030DV, ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100A, 100A, ISOTOP ( SOT-227 ), 400V

Transistor NPN ESM3030DV, ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100A, 100A, ISOTOP ( SOT-227 ), 400V

Quantité
Prix unitaire
1-1
35.75€
2-4
34.80€
5-9
34.33€
10-19
33.94€
20+
33.33€
Quantité en stock: 22

Transistor NPN ESM3030DV, ISOPLUS247 ( TO-247 ), 100A, 100A, ISOTOP ( SOT-227 ), 400V. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 100A. Courant de collecteur: 100A. Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT-227 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: Vissé. Dissipation de puissance maxi: 225W. Dissipation maximale Ptot [W]: 225W. FT: kHz. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fonction: Module transistor NPN Darlington de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 300. Ic(puls): 150A. Marquage du fabricant: ESM3030DV. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Vissé. RoHS: oui. Spec info: Single Dual Emitter. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 1.25V. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.35us. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN & NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 7V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 21:25

Documentation technique (PDF)
ESM3030DV
34 paramètres
Boîtier
ISOPLUS247 ( TO-247 )
Courant de collecteur Ic [A], max.
100A
Courant de collecteur
100A
Boîtier (selon fiche technique)
ISOTOP ( SOT-227 )
Tension collecteur/émetteur Vceo
400V
Configuration
Vissé
Dissipation de puissance maxi
225W
Dissipation maximale Ptot [W]
225W
FT
kHz
Famille de composants
Transistor NPN Darlington de puissance
Fonction
Module transistor NPN Darlington de puissance
Gain hFE maxi
300
Gain hFE mini
300
Ic(puls)
150A
Marquage du fabricant
ESM3030DV
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
4
Nombre de connexions
4
Quantité par boîtier
1
Remarque
Vissé
RoHS
oui
Spec info
Single Dual Emitter
Température maxi
+150°C.
Température
+150°C
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
300V
Tension de saturation VCE(sat)
1.25V
Tf(max)
0.6us
Tf(min)
0.35us
Transistor Darlington?
oui
Type de transistor
NPN & NPN
Vcbo
300V
Vebo
7V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics