Transistor NPN MJ11032G, TO-3, 120V, 50A, 50A. Boîtier: TO-3. Tension collecteur-émetteur VCEO: 120V. Courant de collecteur: 50A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50A. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 30MHz. Marquage du fabricant: MJ11032G. Nombre de bornes: 3. Polarité: NPN. Puissance: 300W. RoHS: oui. Température maxi: +200°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Type: transistor Darlington. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 15:27