Transistor NPN MJD44H11G, D-PAK, 8A
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Transistor NPN MJD44H11G, D-PAK, 8A. Boîtier: D-PAK. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 85 MHz. Marquage du fabricant: J44H11. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 03/11/2025, 06:19
MJD44H11G
13 paramètres
Boîtier
D-PAK
Courant de collecteur Ic [A], max.
8A
Boîtier (norme JEDEC)
TO-252
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Dissipation maximale Ptot [W]
20W
Famille de composants
transistor de puissance NPN
Fréquence de coupure ft [MHz]
85 MHz
Marquage du fabricant
J44H11
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Température maxi
+150°C.
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
80V
Produit d'origine constructeur
Onsemi