Transistor NPN MJE200G, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 80pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 15W. FT: 65MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 180. Gain hFE mini: 45. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE210. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Vebo: 8V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27