Transistor NPN MJE5742, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V

Transistor NPN MJE5742, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.45€
5-24
2.16€
25-49
1.98€
50-99
1.85€
100+
1.65€
Quantité en stock: 22

Transistor NPN MJE5742, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Conditionnement: tube en plastique. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 80W. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 50. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tf(min): 2us. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 400V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

Documentation technique (PDF)
MJE5742
24 paramètres
Courant de collecteur
8A
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension collecteur/émetteur Vceo
800V
Conditionnement
tube en plastique
Diode BE
non
Diode CE
oui
Dissipation de puissance maxi
80W
Gain hFE maxi
400
Gain hFE mini
50
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance BE
100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2)
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
2V
Tf(min)
2us
Transistor Darlington?
oui
Type de transistor
NPN
Unité de conditionnement
50
Vcbo
400V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor