Transistor NPN MMBT3904LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, SOT-23, 60V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. C (out): 1.6pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de collecteur Ic [A]: 0.2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. FT: 300 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: UNI. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Fréquence: 300MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Marquage du fabricant: 1AM. Marquage sur le boîtier: 1AM. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 300mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 1AM. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 18:37