Transistor NPN MMBT5401, SOT-23 ( TO-236 ), 600mA, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 150V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. C (out): 6pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de collecteur Ic [A]: 0.6A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.250W. Equivalences: MMBT5401LT1G. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 50. Marquage du fabricant: 2L. Marquage sur le boîtier: 2 L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 350mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS (2Lx Date Code). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 150V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 3000. Vcbo: 160V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Diotec Semiconductor. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 18:37