Transistor NPN STN851, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V

Transistor NPN STN851, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.59€
5-49
0.47€
50-99
0.41€
100-499
0.38€
500+
0.32€
Quantité en stock: 967

Transistor NPN STN851, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 215pF. Conditionnement: rouleau. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. FT: 130 MHz. Fonction: Transistor de puissance NPN basse tension à commutation rapide. Gain hFE maxi: 350. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 10A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.32V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 1000. Vcbo: 150V. Vebo: 7V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 15:24

STN851
26 paramètres
Courant de collecteur
5A
Boîtier
SOT-223 ( TO-226 )
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-223
Tension collecteur/émetteur Vceo
60V
C (out)
215pF
Conditionnement
rouleau
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
1.6W
FT
130 MHz
Fonction
Transistor de puissance NPN basse tension à commutation rapide
Gain hFE maxi
350
Gain hFE mini
30
Ic(puls)
10A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.32V
Type de transistor
NPN
Unité de conditionnement
1000
Vcbo
150V
Vebo
7V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics