Transistor PNP BC636, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (in): 110pF. C (out): 9pF. Date de production: 1997.04. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 800mW. FT: 70 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Cdil. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 20:34